川土微电子申请一种耐高温双向可控硅结构专利，降低高温下的电流泄放衰减程度

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海川土微电子有限公司申请一项名为“一种耐高温双向可控硅结构”的专利，公开号 CN 119789538 A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明公

开了一种耐高温双向

可控硅结构，包括P型

外延层，P型外延层的

中部形成有两第一N型

well掺杂类型阱区,且两第一N型well掺杂类型阱区间隔设置,

以将P型外延层分隔为第一外延层区域、第二外延层区域和第

三外延层区域；第一外延层区域上的注入区内提供有第一P型

高压掺杂类型阱区，第一P型高压掺杂类型阱区上的注入区内

提供有第一P型well掺杂类型阱区，第一P型well掺杂类型阱区

的顶端提供有第一P型重掺杂有源区和第一N型重掺杂有源区，

且第一P型重掺杂有源区和第一N型重掺杂有源区被隔离设置。

本发明通过在基区开槽的设计将ESD泄放路径调整到了芯片更

深层次，有利于其散热，降低了其高温下的电流泄放衰减程度。

天眼查资料显示，上海川土微电子有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1902.787万人民币，实缴资本1902.787万人民币。通过天眼查大数据分析，上海川土微电子有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息112条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员