爱思开海力士申请半导体器件及其制造方法专利，达到电连接效果

金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“16593.半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119855142A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一半导体结构，包括单元区和外围电路区，并且包括设置在单元区中的单元电容器以及设置在单元区和外围电路区中以覆盖单元电容器的第一绝缘层；第二半导体结构，包括设置在单元区中的第一绝缘层之上的单元晶体管和设置在外围电路区中的第一绝缘层之上的外围电路晶体管；以及第一导体，其穿过第一绝缘层以将单元晶体管的第一单元源极/漏极区与单元电容器的电极电连接。

本文源自：金融界

作者：情报员