横店东磁申请光伏硅片缺陷检测专利，能提高缺陷检测准确性

金融界2025年5月8日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“光伏硅片缺陷检测方法、装置、计算机设备和存储介质”的专利，公开号 CN119941618A，申请日期为 2024 年 11 月。

专利摘要显示，本申请涉及一种光伏硅片缺陷检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：通过目标图像集对缺陷检测模型进行训练，得到训练好的缺陷检测模型；目标图像集包括标注了缺陷位置和缺陷类型的下料花篮图像；将待检测的下料花篮图像输入训练好的缺陷检测模型，得到待检测的下料花篮图像中硅片的缺陷位置和缺陷类型。缺陷类型包括硅片的缺片、碎片、错片和带液缺陷。其中，缺陷检测模型为优化 YOLOv8s 模型，优化 YOLOv8s 模型包括主干网络、特征融合网络和检测模块，主干网络中包括 CBAM 注意力模块。采用本申请的方法能够提高缺陷检测的准确性。

天眼查资料显示，横店集团东磁股份有限公司，成立于1999年，位于金华市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本162671.2074万人民币。通过天眼查大数据分析，横店集团东磁股份有限公司共对外投资了38家企业，参与招投标项目3825次，财产线索方面有商标信息215条，专利信息2502条，此外企业还拥有行政许可78个。

本文源自：金融界

作者：情报员