内蒙古中环领先申请控制单晶氧含量制备方法专利，实现磁场对溶体对流抑制的最大化

金融界2025年4月16日消息，国家知识产权局信息显示，内蒙古中环领先半导体材料有限公司申请一项名为“一种控制单晶氧含量的制备方法”的专利，公开号 CN 119824522 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种控制单晶氧含量的制备方法，在整个晶体生长过程中，横向磁场可随石英坩埚的上升而上升，且横向磁场的最强高斯面所在位置始终位于石英坩埚底部的上方。本申请一种控制单晶氧含量的制备方法，使磁场可随熔硅液位进行上下移动，实现磁场强度的精准控制，从而可获得对单晶氧含量的极限控制，实现磁场对溶体对流抑制的最大化，保证低氧硅单晶的生长环境，获得单晶质量稳定且合格的产品。

天眼查资料显示，内蒙古中环领先半导体材料有限公司，成立于2017年，位于呼和浩特市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，内蒙古中环领先半导体材料有限公司参与招投标项目11次，专利信息101条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自：金融界

作者：情报员