无锡芯卓湖光申请电容结构的制作方法及电容结构专利，能够简化制作工艺

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“电容结构的制作方法及电容结构”的专利，公开号CN 119789779 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种电容结构的制作方法及电容结构，属于半导体技术领域。该电容结构的制作方法包括：提供依次层叠设置的第一极板层、初始介质层和第二极板层；在所述第二极板层背离所述初始介质层的一侧形成用于定义第一极板的掩膜层；对所述第二极板层进行刻蚀，得到第二极板，所述第二极板在所述掩膜层所在平面的正投影位于所述掩膜层内，且所述第二极板的横截面积小于所述掩膜层的横截面积；通过所述掩膜层，对所述初始介质层和所述第一极板层进行刻蚀，得到第一介质层和所述第一极板。本申请能够简化制作工艺，降低工艺成本。

天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币，实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司参与招投标项目4次，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员