江西萨瑞半导体申请超结MOS器件及其制备方法专利，提升了耐压

金融界2025年4月25日消息，国家知识产权局信息显示，江西萨瑞半导体技术有限公司申请一项名为“一种超结MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN119815888A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种超结MOS器件及其制备方法，通过在衬底上开设沟槽，且N型外延层嵌入沟槽中，由于沟槽中的N型外延层的掺杂浓度低于衬底的掺杂浓度，在后续加热过程中，会充当阻挡或缓冲的作用，有效防止衬底的高浓度离子扩散到超结耐压的有效区域，有效缓解了沟槽底部区域外延层浓度的升高造成的不能耗尽，电荷非平衡的问题，耗尽线平整处在沟槽底部位置，增大了工艺的窗口，提升了耐压，另外，在超结MOS器件导通时，电子到达沟槽底部会分散在衬底中，P型外延层下方的区域还是高浓度的区域，比传统整体增加外延层厚度的方法导通电阻更小。

天眼查资料显示，江西萨瑞半导体技术有限公司，成立于2020年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西萨瑞半导体技术有限公司参与招投标项目9次，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可5个。

本文源自：金融界

作者：情报员