中科格励微申请用于 MEMS 器件的屏蔽结构及其制备方法专利，提高屏蔽结构性能

金融界 2025 年 4 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，北京中科格励微科技有限公司申请一项名为“用于 MEMS 器件的屏蔽结构及其制备方法”的专利，公开号 CN119873722A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明实施例涉及一种用于 MEMS 器件的屏蔽结构及其制备方法，该屏蔽结构包括：第一导电支撑层；器件层，形成于所述第一导电支撑层之上，所述器件层包括 MEMS 器件区域和屏蔽互连区域；器件介质隔离层，形成于所述器件层之上；第二导电支撑层，形成于所述器件介质隔离层之上；屏蔽单元，所述屏蔽单元贯穿所述器件介质隔离层，与所述第一导电支撑层、所述第二导电支撑层和所述屏蔽互连区域连接，形成固定电位结构；所述固定电位结构包围所述 MEMS 器件区域，所述固定电位结构与所述 MEMS 器件区域通过绝缘结构电绝缘。

天眼查资料显示，北京中科格励微科技有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2201.230782万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中科格励微科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目138次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员