深圳迈巨微电子申请场效应晶体管器件及电池管理系统专利，实现场效应晶体管结构的漏极结构相互连接

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳迈巨微电子科技有限责任公司申请一项名为“场效应晶体管器件及电池管理系统”的专利，公开号 CN 119789514 A，申请日期为2020年9月。

专利摘要显示，本公开提供了一种场效应晶体管器件，包括：衬底，分为第一区和第二区，以与衬底的纵向方向垂直且位于衬底的中间位置的假想线为基准，第一区位于衬底的纵向方向的上侧，第二区位于衬底的纵向方向的下侧，在第一区的衬底上形成有第一场效应晶体管结构，其中，第一区的衬底上形成有第一栅极结构，第一栅极结构之上形成有第一源极结构，在第二区的衬底上形成有第二场效应晶体管结构，其中，第二区的衬底上形成有第二栅极结构，第二栅极结构之下形成有第二源极结构，并且通过第一区的衬底和第二区的衬底来实现第一场效应晶体管结构的第一漏极结构和第二场效应晶体管结构的第二漏极结构相互连接。本公开还提供了电池管理系统。

天眼查资料显示，深圳迈巨微电子科技有限责任公司，成立于2019年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本177.4901万人民币，实缴资本119.2173万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳迈巨微电子科技有限责任公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息13条，专利信息160条，此外企业还拥有行政许可17个。

本文源自：金融界

作者：情报员