泉州三安半导体申请发光二极管专利，提高产品转移后的良率

金融界2025年4月18日消息，国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及其制造方法及发光装置”的专利，公开号 CN 119836067 A，申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管及其制造方法及发光装置，发光二极管包括半导体外延叠层，外延叠层中形成有台面结构。发光二极管包括与半导体外延叠层的第一半导体层连接的第一电极，以及与第二半导体层连接的第二电极。第一电极包括位于上述台面结构中的填充电极，填充电极填充台面孔或台面，使得填充电极的表面与半导体外延叠层的表面侧齐平。填充电极的形成使得发光二极管的表面整体上为平整表面，不存在高度差或者凹陷区域，因此，在半导体外延叠层表面形成电极结构的焊盘电极时，P 电极和 N 电极之间不会出现高度差，同时有利于控制二者之间的间隔距离，使得相同平面上的焊盘电极的有效接触面积增加，提高产品转移后的良率。另外，本申请的发光二极管外形上不会存在高度差，因此在转移/键合过程中不会因受力不均匀造成破裂或者断裂现象，保证了产品的良率。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目56次，专利信息590条，此外企业还拥有行政许可335个。

本文源自：金融界

作者：情报员