新存科技申请半导体器件及其形成方法专利，可避免工艺损伤

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN 119789439 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括衬底、位于衬底上的控制电路层、位于控制电路层表面的第一导电插塞、存储器件层和第二导电插塞。存储器件层位于第一导电插塞上，存储器件层包括异面交叉的第一地址线和第二地址线，第一地址线位于第一导电插塞表面。第二导电插塞为一体结构位于第二地址线和控制电路层之间，第二导电插塞的两端分别与控制电路层和第二地址线接触。因此可以采用一道单独的刻蚀工艺形成第二导电插塞的通孔，而不需要在形成第一导电插塞的工艺中形成部分第二导电插塞，省略了在形成第一导电插塞的工艺中形成部分第二导电插塞的工艺，可以避免形成第一导电插塞之后的工艺该部分第二导电插塞造成损伤。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1718.4646万人民币，实缴资本1257.59万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息96条。

本文源自：金融界

作者：情报员