爱思开海力士申请具有三维结构的半导体装置专利，提升半导体装置性能

金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“具有三维结构的半导体装置”的专利，公开号CN119864335A，申请日期为2021年4月。

专利摘要显示，本公开提供一种具有三维结构的半导体装置，该半导体装置包括：第一晶圆，第一晶圆包括在其一个表面上的第一接合焊盘；第二晶圆，第二晶圆包括在其接合至第一晶圆的所述一个表面的一个表面上的接合至第一接合焊盘的第二接合焊盘；多个防翘曲凹槽，多个防翘曲凹槽在第一晶圆的所述一个表面上，并且被布置为条形形状；以及多个防翘曲肋部，多个防翘曲肋部在第二晶圆的所述一个表面上，多个防翘曲肋部分别联接至多个防翘曲凹槽，并且被布置为条形形状。

本文源自：金融界

作者：情报员