中芯国际申请测试结构及其形成方法专利，有效缩短开发周期

金融界 2025 年 4 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“测试结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119789752 A，申请日期为 2023 年 10 月。

专利摘要显示，一种测试结构及其形成方法，测试结构包括：测试驱动阱区；位于测试驱动阱区上的测试驱动栅极结构，测试驱动栅极结构覆盖测试驱动阱区的部分顶部表面；位于测试驱动阱区内的测试驱动源极和测试驱动漏极，测试驱动源极和测试驱动漏极位于测试驱动栅极结构两侧；测试负载组件，测试负载组件包括第一连接端和第二连接端，第一连接端与测试驱动源极电连接，且测试负载组件的阻值与微显示像素驱动电路中发光二极管发光在至少一个特定亮度时的阻值相等；测试负载引脚，测试负载引脚与第二连接端电连接。通过增设测试负载组件可以精准测试出微显示像素驱动电路在实际工作时流经发光二极管的电流、以及驱动晶体管的器件特性，有效缩短开发周期。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元，实缴资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

本文源自：金融界

作者：情报员