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江苏索力德普取得沟槽栅SiC功率器件及制备方法专利

金融界2025年4月16日消息,国家知识产权局信息显示,江苏索力德普半导体科技有限公司取得一项名为“沟槽栅SiC功率器件及制备方法”的专利,授权公告号CN117637849B,申请日期为2023年12月。

天眼查资料显示,江苏索力德普半导体科技有限公司,成立于2021年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4722.329万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏索力德普半导体科技有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目3次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息107条,此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自:金融界

作者:情报员