上海华力申请 NOR 闪存制造方法专利，能提升 NOR 闪存的性能以及可靠性

金融界 2025 年 5 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“NOR 闪存制造方法”的专利，公开号 CN119907243A，申请日期为 2023 年 10 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种 NOR 闪存制造方法，先先形成漏区槽及外围隔离槽并填充沟槽隔离氧化物，之后形成源区槽，再进行 SiH4 层淀积；由于 SiH4 填充性差，在间隙较小的源区槽处可以形成空气间隙，此时由于存储区的漏区的漏区槽及逻辑区处的外围隔离槽均已经被填充完成，不会受到影响。本发明的 NOR 闪存制造方法，基于源端后制备工艺形成 NOR 闪存源端空气间隙，能同时保证漏端填充良好，从而能减小源端多晶硅栅之间的耦合效应，减弱两侧多晶硅栅之间的耦合效应，提升 NOR 闪存的性能以及可靠性。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2069次，专利信息2267条，此外企业还拥有行政许可343个。

本文源自：金融界

作者：情报员