格科半导体申请改善背面深沟槽深度均匀性专利，减少沟槽深度差异以达均匀效果

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种改善背面深沟槽深度均匀性的方法”的专利，公开号CN 119789560 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种改善背面深沟槽深度均匀性的方法，具体通过在设置有感光区的衬底表面交叉区域上预先制备一第一层，然后对具有第一层的交叉区域和非交叉区域同时刻蚀，进而抵消交叉区域和非交叉区域因开口尺寸不同导致的沟槽深度上的差异，最后得到沟槽各区域深度均匀性更好的深沟槽。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币，实缴资本407578.68万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息68条，此外企业还拥有行政许可80个。

本文源自：金融界

作者：情报员