杭州富芯半导体申请半导体器件制造方法专利，减小甚至消除隔离沟槽内尖锥状缺陷

金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号 CN119890135A，申请日期为 2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有层叠的衬垫氧化层和硬掩膜层；刻蚀形成初始沟槽，所述初始沟槽贯穿硬掩膜层和衬垫氧化层并延伸至衬底内；将所述初始沟槽所暴露的衬底氧化形成牺牲层，使初始沟槽下方剩余的衬底的表面低于所述衬底内其他部分的表面；去除部分硬掩膜层，使所述衬垫氧化层中靠近所述初始沟槽一侧的部分表面暴露；基于所述初始沟槽继续刻蚀所述衬垫氧化层和所述衬底并去除所述牺牲层，以于所述衬底内形成隔离沟槽，且所述衬底中位于隔离沟槽下方的部分的表面低于所述衬底内其他部分的表面。本申请减小甚至消除了隔离沟槽内的尖锥状缺陷，有助于提升最终形成的半导体器件的电性和可靠性。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息284条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员