朝阳微电子申请耐高倍过载小型硅压阻压力传感器专利，使硅压阻压力敏感芯片的本征压力过载能力呈数量级提升

金融界2025年5月7日消息，国家知识产权局信息显示，朝阳微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种耐高倍过载小型硅压阻压力传感器及其制作方法”的专利，公开号CN119935386A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明涉及硅基MEMS传感器技术领域，具体的说是一种耐高倍过载小型硅压阻压力传感器及其制作方法。传感器设有金属弹性膜片随压力挠变牵引金属波纹膜片挠变的主从挠变机构，当过载压力超过设定上限时，金属波纹膜片与金属波纹基板间不可压缩液体被导流净。无不可压缩液体传递被测压力，拒止超限的过载压力作用到敏感芯片上，避免因敏感芯片屈服或破裂而导致传感器不可逆地失效。在无须牺牲压阻效应灵敏度和不增加径向尺寸下，使硅压阻压力敏感芯片的本征压力过载能力呈数量级地提升，甚至微压或低压传感器的本征压力过载能力可以呈百倍及以上地提升，特别适用被测压力量程上限易发生阶跃突变或高宽量程范围的低、微压力的长期可靠测量。

天眼查资料显示，朝阳微电子科技股份有限公司，成立于1997年，位于朝阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6151.8223万人民币。通过天眼查大数据分析，朝阳微电子科技股份有限公司参与招投标项目286次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

作者：情报员