美光科技申请包含二维材料的晶体管相关专利，提升晶体管性能

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“包含二维材料的晶体管以及相关的微电子装置、存储器装置和电子系统”的专利，公开号 CN 119789426 A，申请日期为 2020 年 8 月。

专利摘要显示，本申请涉及包含二维材料的晶体管，并且涉及相关的微电子装置、存储器装置和电子系统。晶体管包括 2D 材料结构和栅极结构。所述 2D 材料结构在第一水平方向上平行延伸的介电鳍结构的表面上并且在其之间共形地延伸，并且包括源极区、漏极区和在所述第一水平方向上定位在所述源极区和所述漏极区之间的沟道区。所述栅极结构覆盖所述 2D 材料结构的所述沟道区，并且在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上延伸。所述栅极结构在所述第一水平方向上在所述 2D 材料结构的所述沟道区的水平边界内。

本文源自：金融界

作者：情报员